SPB20N60C3 TO-263 20.7A 650V 208W 0.19Ohm N Kanal Mosfet

SPB20N60C3 TO-263 20,7A 650V 208W 0,19Ohm N Kanal Mosfet

SPB20N60C3 TO-263 20,7A 650V 208W 0,19Ohm N Kanal Mosfet Açıklama

SPB20N60C3 TO-263 20,7A 650V 208W 0,19Ohm N Kanal Mosfet, çeşitli endüstrilerdeki yüksek performanslı uygulamalar için tasarlanmış yenilikçi bir çözümdür. Sağlam özellikleri ve üstün verimliliği ile bu MOSFET, zorlu ortamlar için güvenilirlik ve dayanıklılık sunan güç yönetim sistemlerinde önemli bir bileşendir.

SPB20N60C3 TO-263 20,7A 650V 208W 0,19Ohm N Kanal Mosfet Özellikleri

• Yüksek Akım Kapasitesi: Zorlu yükler için optimum performansı garanti ederek 20,7A'ya kadar destekler.
• Gerilim İşleme: 650V'a dayanabilir, bu da onu yüksek voltajlı uygulamalar için ideal hale getirir.
• Güç Dağılımı: 208W olarak derecelendirilmiştir, mükemmel termal yönetim ve verimlilik sağlar.
• Düşük Açık Durum Direnç: 0,19 Ohm direnç sunar, güç kaybını azaltır ve sistem verimliliğini artırır.
• Paket Türü: TO-263 paketi kompakt ve termal olarak verimli bir tasarım sunar.
• Sıcaklık Aralığı: Çeşitli ortamlar için uygun, geniş bir sıcaklık aralığında çalışacak şekilde tasarlanmıştır.
• Dayanıklılık: Uzun ömürlü performans ve güvenilirlik sağlayan malzemelerle üretilmiştir.