MJD200 - (J200) TO-252 5A 25V 12.5W NPN BJT Transistör

MJD200 - (J200) TO-252 5A 25V 12,5W NPN BJT Transistör

MJD200 - (J200) TO-252 5A 25V 12,5W NPN BJT Transistör Açıklama

MJD200 - (J200) TO-252 5A 25V 12,5W NPN BJT Transistör, modern elektronik devrelerin zorlu taleplerini karşılamak üzere tasarlanmış yüksek performanslı bir bileşendir. Sağlam tasarımı ve üstün elektriksel özellikleri, onu güç amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında vazgeçilmez hale getirir. 5A maksimum kollektör akımı ve bir TO-252 paketi ile MJD200, kompakt alanlarda verimli ısı dağılımı ve güvenilirlik sağlayarak performans ve verimlilik arayan mühendisler için vazgeçilmez hale getirir.

MJD200 - (J200) TO-252 5A 25V 12,5W NPN BJT Transistör Özellikleri

• Maksimum Kollektör Akımı: 5A
• Maksimum Kollektör-Emitör Voltajı: 25V
• Güç Dağılımı: 12,5W
• Paket Türü: Üstün termal performans için TO-252
• Yüksek Akım Kazanç: Amplifikasyon için idealdir
• Düşük Doygunluk Voltajı: Anahtarlama uygulamalarında verimliliği artırır
• Sağlam Tasarım: Zorlu ortamlarda uzun vadeli güvenilirlik sağlar

MJD200 - (J200) TO-252 5A 25V 12,5W NPN BJT Transistör Uygulamaları

• Güç Amplifikatörleri: Yüksek kaliteli ses ve RF amplifikatörleri için uygundur
• Anahtarlama Regülatörleri: DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim sistemleri için idealdir
• Motor Sürücüleri: Endüstriyel ve tüketici uygulamaları için motor kontrol devrelerinde kullanılır