IRG4PC50WD TO-247 51A 900V 200W IGBT Transistör, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında maksimum verimlilik ve güvenilirlik için tasarlanmış yüksek performanslı yalıtımlı kapılı bipolar transistördür. Önemli güç yüklerini idare etme yeteneğiyle bilinen bu transistör, enerji verimliliğinin ve performansın en önemli olduğu endüstrilerde kritik öneme sahiptir. Sağlam tasarımı ve gelişmiş teknolojisi, zorlu ortamlarda üstün anahtarlama yetenekleri arayan mühendisler ve profesyoneller için ideal bir seçim olmasını sağlar.
IRG4PC50WD TO-247 51A 900V 200W IGBT Transistör Özellikleri
- Gelişmiş Kapı Yapısı: Yüksek hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir
- Yüksek Akım Kapasitesi: 51A'ya kadar sürekli akımı destekler
- Yüksek Voltaj İşleme: 900V'da verimli bir şekilde çalışır
- Güç Dağılımı: 200W gücü dağıtabilir
- Paket Türü: Dayanıklı bir muhafaza içinde TO-247 paketi
- Düşük Doygunluk Voltajı: Çalışma sırasında güç kaybını azaltır
- Termal Kararlılık: Gelişmiş termal yönetim için tasarlanmıştır
IRG4PC50WD TO-247 51A 900V 200W IGBT Transistör Uygulamaları
- Endüstriyel Motor Sürücüleri: Verimli hız kontrolü için elektrik motorlarında kullanılır
- Yenilenebilir Enerji Sistemleri: Güneş invertörlerinde ve rüzgar türbini dönüştürücülerinde olmazsa olmazdır
- Güç Kaynağı Üniteleri: Yüksek frekanslı ve yüksek güçlü SMPS uygulamalarının ayrılmaz bir parçasıdır
Üye Kayıt
Üye Giriş
Bayi Giriş
TR − TL
English
