IPB042N10N3GATMA1 TO-263 137A 100V 214W 4.2Ohm N Kanal Mosfet

IPB042N10N3GATMA1 TO-263 137A 100V 214W 4.2Ohm N Kanal Mosfet

IPB042N10N3GATMA1 TO-263 137A 100V 214W 4.2Ohm N Kanal Mosfet Açıklaması

TO-263 paketindeki IPB042N10N3GATMA1, modern elektronik devrelerin zorlu taleplerini karşılamak üzere tasarlanmış, sağlam ve verimli bir N kanallı MOSFET'tir. 137A akım taşıma kapasitesi, 100V arıza gerilimi ve 214W güç dağılımı ile bu MOSFET, güvenilirliğin ve verimliliğin en önemli olduğu yüksek performanslı uygulamalar için idealdir. 4,2 Ohm'luk düşük açık direnci, minimum güç kaybını garanti ederek onu enerjiye duyarlı tasarımlarda değerli bir bileşen haline getirir.

IPB042N10N3GATMA1 TO-263 137A 100V 214W 4,2Ohm N Kanal Mosfet Özellikleri

• Yüksek Akım Değeri: 137A'ya kadar akım taşıyabilir, yüksek güç uygulamaları için uygundur.
• Yüksek Voltaj Toleransı: 100V'a kadar dayanıklıdır, zorlu ortamlarda güvenilirlik sağlar.
• Verimli Güç Dağılımı: 214W'lık maksimum güç dağılımı sunarak termal stresi azaltır.
• Düşük Açık Direnç: 4,2 Ohm direnci, enerji verimliliğini artırır.
• TO-263 Paketi: Kompakt tasarım, devre düzenlerine kolay entegrasyonu kolaylaştırır.
• Termal Yönetim: Etkili ısı dağılımı için optimize edilmiştir.
• Dayanıklı Yapı: Zorlu çalışma koşullarına dayanacak şekilde üretilmiştir.

IPB042N10N3GATMA1 TO-263 137A 100V 214W 4.2Ohm N Kanal Mosfet Uygulamaları

• Güç Kaynağı Üniteleri: Yüksek verimli güç kaynağı tasarımlarında kullanım için idealdir.
• Motor Kontrolü: Endüstriyel ve tüketici uygulamalarında motorları kontrol etmek için uygundur.
• İnvertör Devreler: Yenilenebilir enerji sistemleri için inverter tasarımlarında kullanılır.