HGTP5N120BN TO-220 21A 1200V IGBT Transistör, modern elektronik uygulamalarının zorlu taleplerini karşılamak üzere tasarlanmış son teknoloji bir yarı iletken cihazdır. Sağlam IGBT teknolojisiyle bu transistör, yüksek voltaj ve yüksek akım senaryolarında mükemmellik gösterir ve onu güç elektroniği sektörünün ayrılmaz bir bileşeni haline getirir. HGTP5N120BN modeli, enerji yoğun sistemlerde optimum performans sağlayarak verimliliği ve güvenilirliği nedeniyle saygı görmektedir.
HGTP5N120BN TO-220 21A 1200V IGBT Transistör Özellikleri
- Yüksek Voltaj Derecesi: 1200V'a kadar dayanabilir ve bu da onu yüksek voltajlı uygulamalar için uygun hale getirir.
- Akım Kapasitesi: 21A'ya kadar destekler ve zorlu ortamlarda sağlam performans sağlar.
- Paket Türü: Kolay entegrasyon ve ısı dağılımı için çok yönlü bir TO-220 paketinde tasarlanmıştır.
- Anahtarlama Hız: Hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir, güç dönüşümünde verimliliği artırır.
- Termal Performans: Daha yüksek çalışma sıcaklıklarını sürdürmek için mükemmel termal yönetim özellikleri.
- Düşük Doygunluk Voltajı: Azaltılmış güç kayıpları ve artırılmış sistem verimliliği sağlar.
- Sağlam Tasarım: Uzun vadeli güvenilirlik için elektriksel ve çevresel streslere dayanacak şekilde üretilmiştir.
HGTP5N120BN TO-220 21A 1200V IGBT Transistör Uygulamaları
- Endüstriyel İnvertörler: Motor kontrol uygulamaları için değişken frekanslı sürücülerde kullanılır, enerji verimliliğini artırır.
- Yenilenebilir Enerji Sistemleri: Sürdürülebilir enerjiyi destekleyen güneş invertörlerinde ve rüzgar türbini dönüştürücülerinde kullanım için idealdir çözümler.
- Anahtarlama Modlu Güç Kaynakları (SMPS): Yüksek frekanslı güç dönüşümü için kritik öneme sahiptir ve istikrarlı ve verimli güç kaynağı sağlar.
Üye Kayıt
Üye Giriş
Bayi Giriş
TR − TL
English
