HGTP12N60A4D TO-220 54A 600V 167W IGBT Transistör, çok çeşitli endüstriyel ve ticari uygulamalar için tasarlanmış yüksek performanslı Yalıtımlı Kapılı Bipolar Transistördür. Sağlam tasarımı ve yüksek verimliliği ile bu transistör, üstün anahtarlama yetenekleri ve termal performans sunan güç elektroniğinde kritik bir bileşendir. Endüstri standardı TO-220 paketi mevcut sistemlerle uyumluluğu garanti ederek, performansı ve güvenilirliği optimize etmek isteyen mühendisler için çok yönlü bir seçim haline getirir.
HGTP12N60A4D TO-220 54A 600V 167W IGBT Transistör Özellikleri
- Yüksek Akım Kapasitesi: 54A olarak derecelendirilen bu transistör, yüksek güç uygulamalarını kolaylıkla destekler.
- Gerilim Derecesi: 600V'luk maksimum kollektör-emitör voltajıyla, yüksek gerilim devreleri için uygundur.
- Güç Dağılımı: 167W'a kadar işleyebilir ve verimli termal yönetim sağlar.
- Anahtarlama Hız: Hızlı anahtarlama özellikleri dinamik uygulamalarda enerji kaybını en aza indirir.
- Düşük Doygunluk Voltajı: İletim kayıplarını azaltır ve verimliliği artırır.
- Sağlam Yapı: Zorlu çalışma koşullarına dayanacak şekilde üretilmiştir, dayanıklılık ve uzun ömür sağlar.
- Kompakt Tasarım: TO-220 paketi, sıkışık PCB düzenleri için yerden tasarruf sağlayan bir çözüm sunar.
HGTP12N60A4D TO-220 54A 600V 167W IGBT Transistör Uygulamaları
- Endüstriyel Motor Sürücüleri: Değişken frekanslı sürücüler ve yüksek güçlü motor kontrol sistemleri için idealdir.
- Yenilenebilir Enerji Sistemleri: Güneş invertörlerinde ve rüzgarda kritik öneme sahiptir Verimlilik ve güvenilirliğin en önemli olduğu türbin dönüştürücüler.
- Güç Kaynağı Üniteleri: Ticari ve endüstriyel ekipmanlar için yüksek verimli güç kaynaklarında kullanılır.
Üye Kayıt
Üye Giriş
Bayi Giriş
TR − TL
English
