H25T120 - (IHW25T120) TO-247-3 25A 1200V IGBT Transistör, güç dönüştürme uygulamalarında verimliliği artırmak için tasarlanmış yüksek performanslı bir yarı iletkendir. Bu gelişmiş Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör (IGBT), yüksek voltaj ve akım kapasiteleri gerektiren modern elektronik sistemler için olmazsa olmazdır. Sağlam tasarımı ve güvenilir performansı, onu verimli ve kontrollü güç anahtarlaması gerektiren uygulamalar için ideal hale getirir.
H25T120 - (IHW25T120) TO-247-3 25A 1200V IGBT Transistör Özellikleri
- Yüksek Voltaj Kapasitesi: 1200V'da etkili bir şekilde çalışır ve yüksek voltajlı uygulamalarda üstün performans sağlar.
- Akım İşleme: 25A'ya kadar sürekli akımı destekler ve zorlu uygulamalar için uygundur.
- Düşük Doygunluk Voltajı: Güç kaybını en aza indirerek genel sistem verimliliğini artırır.
- Hızlı Anahtarlama Hızı: Anahtarlama kayıplarını azaltır ve sistem tepki süresini iyileştirir.
- Sağlam Termal Performans: Yüksek termal koşullar altında kararlılığı garanti eden verimli ısı dağılımı için tasarlanmıştır.
- Geliştirilmiş Sağlamlık: Kısa devre koşullarına karşı yüksek direnç sunar.
- Kompakt Paket: TO-247-3 paketi, elektronik tasarımlarda alanı optimize eden kompakt bir ayak izi sağlar.
H25T120 - (IHW25T120) TO-247-3 25A 1200V IGBT Transistör Uygulamaları
- Endüstriyel Motor Sürücüleri: Verimliliği ve güvenilirliği artırmak için motor kontrol sistemlerinde kullanılır.
- Yenilenebilir Enerji Sistemleri: Enerji dönüşümünü optimize etmek için güneş invertörleri ve rüzgar türbini dönüştürücüleri için gereklidir.
- Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS): Yedek güç sistemlerinde güç istikrarını ve güvenilirliğini sağlamak için kritik öneme sahiptir.