FQD12N20LTM TO-252 9A 200V N Kanal Mosfet Transistör, yüksek güç uygulamaları için tasarlanmış sağlam ve oldukça verimli bir elektronik bileşendir. Bu MOSFET transistörü, minimum kayıpla önemli akım ve voltaj yüklerini idare edebilme yeteneği sayesinde çeşitli endüstrilerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarındaki önemi onu mühendisler ve endüstriyel profesyoneller için vazgeçilmez bir araç haline getirir.
FQD12N20LTM TO-252 9A 200V N Kanal Mosfet Transistör Özellikleri
- Paket: TO-252 kompakt ve verimli termal yönetim için
- Boşaltma Akımı: Yüksek güç uygulamaları için 9A'ya kadar işleme kapasitesi
- Boşaltma Kaynağı Voltajı: Geniş voltaj toleransı için 200V olarak derecelendirilmiştir
- Kanal Türü: Gelişmiş elektron hareketliliği için N-Kanal
- RDS(açık): Düşük açık direnç azaltılmış güç kaybı
- Kapı Şarjı: Hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir
- Termal Direnç: Mükemmel termal dağılım yetenekleri
FQD12N20LTM TO-252 9A 200V N Kanal Mosfet Transistör Uygulamaları
- Güç Kaynağı Üniteleri: SMPS ve DC-DC dönüştürücülerde kullanım için idealdir
- Motor Sürücüleri: Otomotiv ve endüstriyel uygulamalarda motorları sürmekte etkilidir
- İnvertörler: Güneş invertörleri ve diğer enerji dönüşüm sistemleri için uygundur
Üye Kayıt
Üye Giriş
Bayi Giriş
TR − TL
English
