SI2369DS-T1-GE3DKR-ND, güç yönetimi uygulamalarında verimlilik için tasarlanmış yüksek performanslı bir P kanallı MOSFET'tir. Kompakt SOT-23 paketiyle bu MOSFET, alan kısıtlamalı ortamlarda güvenilir performans sağlar. 30V ve 7.6A'ya kadar akımları kaldırabilme özelliği, onu çeşitli elektronik cihazlar için ideal hale getirerek, optimum güç dağıtımı ve 1.25W'a kadar minimum ısı dağılımı sağlar. Bu bileşen, güç verimliliğini ve cihaz güvenilirliğini artırmayı amaçlayan mühendisler için vazgeçilmezdir.
SI2369DS-T1-GE3DKR-ND SOT-23 30V 7.6A 1.25W P Kanal 29MOhm Mosfet Özellikleri
- Düşük Açık Direnç: Verimli güç iletimi için 29mΩ
- Kompakt Paket: Yerden tasarruf sağlayan entegrasyon için SOT-23 tasarımı
- Termal Verimlilik: 1.25W'a kadar nominal güç dağılımı
- Yüksek Akım Kapasitesi: 7.6A'ya kadar sürekli akımı destekler
- Voltaj Toleransı: 30V'a kadar sağlam çalışma
- Gelişmiş Anahtarlama Hızı: Yüksek frekanslı uygulamalar için optimize edilmiştir
- Sıcaklık Dayanıklılığı: Geniş bir sıcaklık aralığında güvenilir performans
SI2369DS-T1-GE3DKR-ND SOT-23 30V 7.6A 1.25W P Kanal 29MOhm Mosfet Uygulamaları
- Güç Yönetim Sistemleri: DC-DC dönüştürücüler ve voltaj regülasyonu için idealdir
- Tüketici Elektroniği: Akıllı telefonlar ve tabletlerde verimliliği artırır
- Otomotiv Elektroniği: Otomotiv kontrol sistemlerinde kullanıma uygundur
Üye Kayıt
Üye Giriş
Bayi Giriş
TR − TL
English
