MDS3652URH SOIC-8 11A 30V 3.1W 0.017Ohm P Kanal Mosfet, modern elektronik sistemlerde yüksek verimli güç yönetimi için tasarlanmıştır. Kompakt SOIC-8 paketiyle bu P-kanal MOSFET, maksimum 30V'da 11A'ya kadar sürekli akımın güvenilir şekilde işlenmesini gerektiren uygulamalar için idealdir. 3,1 W'lık güç dağıtım kapasitesiyle, termal yönetimin kritik önem taşıdığı zorlu ortamlar için tasarlanmıştır. 0,017 Ohm'luk düşük açık direnci, minimum güç kaybı ve optimum performans sağlar.
MDS3652URH SOIC-8 11A 30V 3,1W 0,017Ohm P Kanal Mosfet Özellikleri
- Paket Türü: Kompakt ve verimli PCB düzeni için SOIC-8
- Akım Derecesi: 11A sürekli akımı idare edebilir
- Gerilim Derecesi: 30 V'luk maksimum drenaj-kaynak voltajını destekler
- Güç Dağılımı: Sağlam performans sağlamak için 3,1 W olarak derecelendirilmiştir
- Düşük Açık Direnç: 0,017 Ohm'luk en aza indirilmiş direnç, güç kaybını azaltmak için
- Termal Özellikler: Termal yönetim sistemlerinde verimli ısı dağıtımı için optimize edilmiştir
- Yüksek Güvenilirlik: Çeşitli elektronik uygulamalarda uzun ömürlü olacak şekilde tasarlanmıştır
MDS3652URH SOIC-8 11A 30 V 3,1 W 0,017 Ohm P Kanal Mosfet Uygulamaları
- Güç Dönüşüm Sistemleri: DC-DC dönüştürücüler ve güç düzenleme devreleri için idealdir
- Otomotiv Elektroniği: Araç güç yönetimi ve kontrol sistemlerinde kullanıma uygundur
- Endüstriyel Otomasyon: Motor sürücülerinde ve endüstriyel güç kaynaklarında etkili anahtarlama sağlar
Üye Kayıt
Üye Giriş
Bayi Giriş
TR − TL
English
