IXSK35N120AU1 TO-264 70A 1200V 300W IGBT Transistör

IXSK35N120AU1 TO-264 70A 1200V 300W IGBT Transistör

IXSK35N120AU1 TO-264 70A 1200V 300W IGBT Transistör Açıklaması

IXSK35N120AU1, zorlu endüstriyel ve güç uygulamaları için tasarlanmış, TO-264 paketinde bulunan yüksek performanslı Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistörüdür (IGBT). 70A'lik etkileyici akım derecesi ve 1200V'luk voltaj kapasitesiyle bu IGBT, verimlilik ve güvenilirlik gerektiren yüksek güç uygulamaları için idealdir. Sağlam tasarımı ve 300W güç derecesi, onu modern elektronik sistemlerde kritik bir bileşen haline getirerek çeşitli endüstrilerde optimum performansı garanti eder.

IXSK35N120AU1 TO-264 70A 1200V 300W IGBT Transistör Özellikleri

• Yüksek Akım Kapasitesi: 70A'ya kadar işleme kapasitesine sahiptir, yüksek güç uygulamaları için uygundur.
• Yüksek Voltaj Derecesi: 1200V'da verimli bir şekilde çalışır, yüksek voltajlı ortamlarda güvenilir performans sağlar.
• Sağlam Güç İşleme: Zorlu uygulamalar için ideal olan 300W'a kadar güç sağlar.
• Verimli Anahtarlama: Sağlar hızlı anahtarlama yetenekleri, enerji kaybını azaltır ve genel verimliliği artırır.
• Termal Yönetim: Etkili ısı dağılımı için gelişmiş termal tasarıma sahiptir.
• Düşük Açık Durum Voltaj Düşüşü: Çalışma sırasında güç kaybını en aza indirerek sistem verimliliğini artırır.
• Sağlam Yapı: TO-264 formatındaki dayanıklı ambalaj uzun ömür ve güvenilirlik sağlar.

IXSK35N120AU1 TO-264 70A 1200V 300W IGBT Transistör Uygulamaları

• Endüstriyel Motor Sürücüleri: Yüksek performanslı motor sürücü sistemlerinde gücü kontrol etmek için idealdir.
• Güç İnvertörleri: Yenilenebilir enerji için invertör devrelerinde kullanılır sistemler, verimli enerji dönüşümü sağlar.
• Anahtarlama Güç Kaynakları: Yüksek voltajlı güç kaynağı sistemlerinde kullanım için gereklidir, hassas kontrol ve kararlılık sunar.