IPB027N10N5 TO-263 120A 100V N Kanal Mosfet Transistör, çeşitli elektronik sistemlerde verimli güç yönetimi için tasarlanmış yüksek performanslı bir yarı iletken bileşendir. Sağlam TO-263 paketiyle, bu N-kanal MOSFET üstün termal performans ve olağanüstü akım taşıma kapasitesi sunar. 120A'ya kadar idare edebilen ve 100V'luk maksimum voltajda çalışabilen bu urun, projelerinde güvenilirlik ve verimlilik arayan mühendisler için olmazsa olmaz bir bileşendir.
IPB027N10N5 TO-263 120A 100V N Kanal Mosfet Transistör Özellikleri
- Yüksek Akım Kapasitesi: Zorlu uygulamalar için 120A'ya kadar destekler
- Gerilim Derecesi: 100V'luk maksimum voltajda verimli bir şekilde çalışır
- TO-263 Paketi: Optimum termal yönetim ve yerden tasarruf sağlayan tasarım sağlar
- N-Kanal Yapılandırması: Anahtarlamada daha kolay entegrasyonu kolaylaştırır devreler
- Düşük Açık Direnç: Güç kayıplarını en aza indirir ve sistem verimliliğini artırır
- Hızlı Anahtarlama Hızı: Dinamik uygulamalarda tepki sürelerini iyileştirir
- Sağlam Yapı: Dayanıklılık ve uzun çalışma ömrü garanti eder
IPB027N10N5 TO-263 120A 100V N Kanal Mosfet Transistör Uygulamaları
- Güç Kaynağı Üniteleri: DC-DC dönüştürücülerde verimli güç dönüşümü için idealdir
- Otomotiv Elektroniği: Motor kontrolü ve pil yönetim sistemlerinde kullanılır
- Endüstriyel Otomasyon: Yüksek güçlü motor sürücüleri ve kontrol sistemleri için uygundur
Üye Kayıt
Üye Giriş
Bayi Giriş
TR − TL
English
