BCY58X TO-18 0.2A 32V NPN GB BJT Transistör

BCY58X TO-18 0.2A 32V NPN GB BJT Transistör

BCY58X TO-18 0.2A 32V NPN GB BJT Transistör Açıklama

BCY58X TO-18 0.2A 32V NPN GB BJT Transistör, elektronik mühendisliği alanında çalışanlar için önemli bir bileşendir ve amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında olağanüstü performans sunar. Sağlam tasarımı, orta düzeyde güç seviyelerini idare etmesini sağlayarak güvenilir devreler tasarlamada vazgeçilmez hale getirir. Bu NPN transistörü, zorlu ortamlarda bile verimli ısı dağılımı ve dayanıklılık sağlayan kompakt TO-18 paketinde yer almaktadır.

BCY58X TO-18 0,2A 32V NPN GB BJT Transistör Özellikleri

• Maksimum Kollektör Akımı (Ic): 0,2A
• Maksimum Kollektör-Emitör Voltajı (Vce): 32V
• Paket Türü: TO-18
• Transistör Türü: NPN
• Kazanç Bant Genişliği urunü: 100 MHz
• Güç Dağılımı: 360 mW
• Çalışma Sıcaklığı Aralığı: -55°C ila 150°C

BCY58X TO-18 0,2A 32V NPN GB BJT Transistör Uygulamaları

• Ses Amplifikasyonu: Düşük ila orta güç ses amplifikasyon devreleri için idealdir.
• Anahtarlama Devreleri: NPN yapılandırması sayesinde hızlı anahtarlama uygulamaları için mükemmeldir.
• Sinyal İşleme: Güvenilir performans ve kararlılık gerektiren sinyal işleme devrelerinde kullanılır.